N-Kanal MOSFET Transistor PD55008-E, 40 V 4 A, Power SO 10RF 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 877-2810
- Herst. Teile-Nr.:
- PD55008-E
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.13.74 |
| 10 - 249 | CHF.11.62 |
| 250 - 499 | CHF.9.29 |
| 500 - 999 | CHF.8.59 |
| 1000 + | CHF.7.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 877-2810
- Herst. Teile-Nr.:
- PD55008-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | PowerSO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 52,8 W | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 58 pF @ 12,5 V | |
| Leistungsverstärkung | 17 dB | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +165 °C | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Länge | 9.5mm | |
| Abmessungen | 9.5 x 9.4 x 3.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße PowerSO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 52,8 W | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 58 pF @ 12,5 V | ||
Leistungsverstärkung 17 dB | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +165 °C | ||
Höhe 3.5mm | ||
Länge 9.5mm | ||
Abmessungen 9.5 x 9.4 x 3.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- MY