N-Kanal MOSFET Transistor STW56N65M2, 650 V 49 A, TO-247 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5733
- Herst. Teile-Nr.:
- STW56N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.7.626
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 11. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.7.63 |
| 25 - 99 | CHF.6.87 |
| 100 - 299 | CHF.5.65 |
| 300 - 599 | CHF.5.18 |
| 600 + | CHF.4.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5733
- Herst. Teile-Nr.:
- STW56N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 49 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 62 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 358 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 19 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 93 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3900 pF @ 100 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 146 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 49 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 62 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 358 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 19 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 93 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 3900 pF @ 100 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 146 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 20.15mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN