N-Kanal MOSFET Transistor STP40N65M2, 650 V 32 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5708P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP40N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.113.625
- 94 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 249 | CHF.4.55 |
| 250 - 499 | CHF.4.34 |
| 500 - 999 | CHF.2.93 |
| 1000 + | CHF.2.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5708P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP40N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 32 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 99 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 15 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 56,5 nC bei 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2355 pF @ 100 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 96,5 ns | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 32 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 99 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 15 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 56,5 nC bei 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2355 pF @ 100 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 96,5 ns | ||
Höhe 15.75mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
- Ursprungsland:
- CN