N-Kanal MOSFET Transistor STL13N65M2, 650 V 6,5 A, PowerFLAT 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5679P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.80.80
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 145 | CHF.1.616 |
| 150 - 295 | CHF.1.555 |
| 300 - 2995 | CHF.1.03 |
| 3000 + | CHF.0.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5679P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 475 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 52 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 11 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 590 pF @ 100 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 38 ns | |
| Länge | 6.35mm | |
| Abmessungen | 6.35 x 5.4 x 0.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 475 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 52 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 11 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.95mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 590 pF @ 100 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 38 ns | ||
Länge 6.35mm | ||
Abmessungen 6.35 x 5.4 x 0.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.4mm | ||
- Ursprungsland:
- CN