N-Kanal MOSFET Transistor STL18N65M2, 715 V 8 A, PowerFLAT 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5673
- Herst. Teile-Nr.:
- STL18N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.31
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.262 | CHF.11.31 |
| 50 - 145 | CHF.1.818 | CHF.9.09 |
| 150 - 245 | CHF.1.778 | CHF.8.89 |
| 250 - 2995 | CHF.1.172 | CHF.5.86 |
| 3000 + | CHF.1.111 | CHF.5.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5673
- Herst. Teile-Nr.:
- STL18N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 715 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 365 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 57 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 46 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21,5 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 764 pF @ 100 V | |
| Breite | 5.4mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Abmessungen | 6.35 x 5.4 x 0.95mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 11 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 715 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 365 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 57 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 46 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21,5 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 764 pF @ 100 V | ||
Breite 5.4mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.35mm | ||
Abmessungen 6.35 x 5.4 x 0.95mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 11 ns | ||
- Ursprungsland:
- CN