N-Kanal MOSFET Transistor STI18N65M2, 650 V 12 A, I2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5663P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI18N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.44.95
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 120 | CHF.1.798 |
| 125 - 245 | CHF.1.737 |
| 250 - 995 | CHF.1.151 |
| 1000 + | CHF.1.111 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5663P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI18N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 330 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 46 ns | |
| Höhe | 9.35mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.35mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 11 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 770 pF @ 100 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 330 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 46 ns | ||
Höhe 9.35mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.35mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 11 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 770 pF @ 100 V | ||
- Ursprungsland:
- CN