N-Kanal MOSFET Transistor STFW40N60M2, 650 V 34 A, TO-3PF 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5651P
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW40N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.123.475
- Zusätzlich 98 Einheit(en) mit Versand ab 11. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 49 | CHF.4.94 |
| 50 - 149 | CHF.4.79 |
| 150 - 299 | CHF.4.40 |
| 300 + | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5651P
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW40N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 34 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 88 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 63 W | |
| Breite | 5.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2500 pF @ 100 V | |
| Höhe | 26.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20,5 NS | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Länge | 15.7mm | |
| Abmessungen | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 96 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 34 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 88 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 63 W | ||
Breite 5.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 57 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2500 pF @ 100 V | ||
Höhe 26.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 20,5 NS | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Länge 15.7mm | ||
Abmessungen 15.7 x 5.7 x 26.7mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 96 ns | ||
- Ursprungsland:
- KR