STMicroelectronics MDmesh M2 STF12N65M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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876-5639P
Herst. Teile-Nr.:
STF12N65M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

500 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

10.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16,5 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.4mm

Ursprungsland:
CN

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