N-Kanal MOSFET Transistor STF11N65M2(045Y), 650 V 7 A, TO220FP 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5635
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11N65M2(045Y)
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.98
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.596 | CHF.7.98 |
| 25 - 120 | CHF.1.293 | CHF.6.46 |
| 125 - 245 | CHF.1.252 | CHF.6.26 |
| 250 - 995 | CHF.0.828 | CHF.4.14 |
| 1000 + | CHF.0.788 | CHF.3.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5635
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11N65M2(045Y)
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 670 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 25 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9,5 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 26 ns | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 410 pF @ 100 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,5 nC bei 10 V | |
| Länge | 10.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 670 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 25 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 9,5 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 26 ns | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 410 pF @ 100 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12,5 nC bei 10 V | ||
Länge 10.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh | ||
Höhe 16.4mm | ||
- Ursprungsland:
- CN