N-Kanal MOSFET Transistor STB33N65M2, 650 V 24 A, D2PAK 2+1 (Tab)-pin
- RS Best.-Nr.:
- 876-5626P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.84.85
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 120 | CHF.3.394 |
| 125 - 245 | CHF.3.272 |
| 250 - 995 | CHF.2.182 |
| 1000 + | CHF.2.081 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5626P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N65M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 24 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 140 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 190 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 13,5 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1790 pF @ 100 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41,5 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 72,5 ns | |
| Breite | 9.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 24 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 140 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 190 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 13,5 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1790 pF @ 100 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 41,5 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Höhe 4.6mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 72,5 ns | ||
Breite 9.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN