N-Kanal MOSFET Transistor MDD5N40RH, 400 V 3,4 A, DPAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 871-6652
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD5N40RH
- Marke:
- MagnaChip
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | CHF.0.273 | CHF.13.74 |
| 250 - 450 | CHF.0.273 | CHF.13.43 |
| 500 - 1200 | CHF.0.263 | CHF.13.18 |
| 1250 + | CHF.0.263 | CHF.12.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 871-6652
- Herst. Teile-Nr.:
- MDD5N40RH
- Marke:
- MagnaChip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MagnaChip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 400 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,6 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 290 pF @ 25 V | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Vorwärtssteilheit | 2S | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MagnaChip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 400 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,6 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Abmessungen 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 290 pF @ 25 V | ||
Höhe 2.39mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Vorwärtssteilheit 2S | ||
Ausschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
- Ursprungsland:
- CN