N-Kanal MOSFET Transistor MDU1517RH, 30 V 100 A, PowerDFN56 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 871-5016P
- Herst. Teile-Nr.:
- MDU1517RH
- Marke:
- MagnaChip
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CHF.34.125
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 125 - 225 | CHF.0.273 |
| 250 - 475 | CHF.0.273 |
| 500 - 2975 | CHF.0.263 |
| 3000 + | CHF.0.263 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 871-5016P
- Herst. Teile-Nr.:
- MDU1517RH
- Marke:
- MagnaChip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MagnaChip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,4 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.7V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | PowerDFN56 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 73,5 W | |
| Abmessungen | 6.1 x 5.1 x 1.1mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 42,6 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12,6 ns | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41,5 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2521 pF @ 15 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Vorwärtssteilheit | 46S | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MagnaChip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,4 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.7V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße PowerDFN56 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 73,5 W | ||
Abmessungen 6.1 x 5.1 x 1.1mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 42,6 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 12,6 ns | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 41,5 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2521 pF @ 15 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.1mm | ||
Vorwärtssteilheit 46S | ||
- Ursprungsland:
- KR