N-Kanal MOSFET Transistor MDP11N60TH, 660 V 11 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 871-4940
- Herst. Teile-Nr.:
- MDP11N60TH
- Marke:
- MagnaChip
Zwischensumme (10 Stück, in einer Stange mit 10)*
CHF.7.58
- 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.758 | CHF.7.60 |
| 50 - 90 | CHF.0.697 | CHF.6.98 |
| 100 - 290 | CHF.0.646 | CHF.6.45 |
| 300 - 490 | CHF.0.596 | CHF.5.94 |
| 500 + | CHF.0.566 | CHF.5.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 871-4940
- Herst. Teile-Nr.:
- MDP11N60TH
- Marke:
- MagnaChip
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MagnaChip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 660 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 550 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 182 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 76 ns | |
| Vorwärtssteilheit | 13S | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Breite | 4.83mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 38 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1700 pF: ±25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38,4 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MagnaChip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 660 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 550 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 182 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 76 ns | ||
Vorwärtssteilheit 13S | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Breite 4.83mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 10.67 x 4.83 x 16.51mm | ||
Höhe 16.51mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 38 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1700 pF: ±25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 38,4 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Länge 10.67mm | ||
- Ursprungsland:
- KR