N-Kanal MOSFET Transistor IRLR7843TRPBF, 30 V 161 A, DPAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 830-3382
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR7843TRPBF
- Marke:
- International Rectifier
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- RS Best.-Nr.:
- 830-3382
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR7843TRPBF
- Marke:
- International Rectifier
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | International Rectifier | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161 | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30 | |
| Gehäusegröße | DPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberflächenmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34 | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 | |
| Durchlassspannung Vf | 1 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 | |
| Länge | 6.73 | |
| Höhe | 2.39 | |
| Breite | 6.22 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke International Rectifier | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161 | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30 | ||
Gehäusegröße DPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberflächenmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34 | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140 | ||
Betriebstemperatur min. -55 | ||
Durchlassspannung Vf 1 | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 | ||
Länge 6.73 | ||
Höhe 2.39 | ||
Breite 6.22 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
<bold>Infineon HEXFET Serie MOSFET, 161A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 140W maximale Verlustleistung - IRLR7843TRPBF</bold>
Dieser MOSFET ist auf Hochleistungsanwendungen im Elektro- und Elektronikbereich zugeschnitten und eignet sich besonders für den Automobil- und Industriebedarf. Seine HEXFET-Technologie sorgt für einen beeindruckenden Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit, wodurch er sich ideal für synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler und isolierte DC/DC-Wandler eignet. Das Gerät steuert effektiv die Verlustleistung und steigert so die Leistung elektronischer Systeme.
<bold>Eigenschaften und Vorteile</bold>
• Bleifreie Konstruktion erfüllt umweltbewusste Designstandards
• Extrem niedriger RDS(on) optimiert Verlustleistung und Effizienz
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit unterstützt intensive Anwendungen
• Konzipiert für hohe Betriebstemperaturen zur Gewährleistung der Leistung
• Niedrige Gate-Ladung verbessert Schaltverhalten in Schaltungen
<bold>Anwendungsbereich</bold>
• Dient der Energieverwaltung in Kraftfahrzeugen
• Eingesetzt in isolierten DC-DC-Wandlern für Telekommunikationssysteme
• Einsatz in synchronen Hochfrequenz-Abwärtswandlern
• Geeignet für industrielle Stromversorgungen, die einen höheren Wirkungsgrad erfordern
• Ideal für die Leistungsregelung in Computerprozessoren
<bold>Was sind die typischen thermischen Leistungsmerkmale?</bold>
Die maximale Betriebstemperatur beträgt +175°C mit einem Wärmewiderstand von 50°C/W von der Sperrschicht bis zur Umgebung, was eine effektive Leistung in thermischen Umgebungen gewährleistet.