N-Kanal MOSFET Transistor IRLL024NTRPBF, 55 V 4,4 A, SOT-223 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 830-3300
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL024NTRPBF
- Marke:
- International Rectifier
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.0.333 | CHF.6.61 |
| 100 - 480 | CHF.0.263 | CHF.5.17 |
| 500 - 980 | CHF.0.253 | CHF.5.07 |
| 1000 - 2480 | CHF.0.242 | CHF.4.79 |
| 2500 + | CHF.0.212 | CHF.4.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 830-3300
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL024NTRPBF
- Marke:
- International Rectifier
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | International Rectifier | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4 | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberflächenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1 | |
| Durchlassspannung Vf | 1 | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 | |
| Länge | 6.7 | |
| Breite | 3.7 | |
| Höhe | 1.739 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke International Rectifier | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4 | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberflächenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1 | ||
Durchlassspannung Vf 1 | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.4 | ||
Betriebstemperatur min. -55 | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 | ||
Länge 6.7 | ||
Breite 3.7 | ||
Höhe 1.739 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.