N-Kanal MOSFET Transistor STF26NM60ND, 650 V 21 A, TO-220FP 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 829-7097
- Herst. Teile-Nr.:
- STF26NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.5.60 |
| 25 - 99 | CHF.4.59 |
| 100 - 249 | CHF.4.14 |
| 250 - 499 | CHF.3.81 |
| 500 + | CHF.3.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-7097
- Herst. Teile-Nr.:
- STF26NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 175 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 35 W | |
| Breite | 4.6mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 69 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 54,6 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1817 pF @ 100 V | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Serie | FDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 22 ns | |
| Länge | 10.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 175 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 35 W | ||
Breite 4.6mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 69 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 54,6 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1817 pF @ 100 V | ||
Höhe 16.4mm | ||
Serie FDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 22 ns | ||
Länge 10.4mm | ||