N-Kanal MOSFET Transistor DN2540N5-G, 400 V 0,5 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 829-3244
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2540N5-G
- Marke:
- Microchip
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | CHF.1.353 | CHF.6.77 |
| 15 - 20 | CHF.1.242 | CHF.6.21 |
| 25 - 95 | CHF.1.04 | CHF.5.20 |
| 100 + | CHF.0.949 | CHF.4.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-3244
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2540N5-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 500 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 400 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 25 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Verlustleistung max. | 15 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 15 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.826mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 200 pF: ±25 V | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.7mm | |
| Abmessungen | 10.7 x 4.826 x 16.51mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 10 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 500 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 400 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 25 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Verlustleistung max. 15 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 15 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.826mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 200 pF: ±25 V | ||
Höhe 16.51mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.7mm | ||
Abmessungen 10.7 x 4.826 x 16.51mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 10 ns | ||