N-Kanal MOSFET Transistor IPB65R190C7ATMA1, 700 V 13 A, TO-263 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 825-9092
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R190C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.17.17
- Zusätzlich 865 Einheit(en) mit Versand ab 26. Mai 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | CHF.3.434 | CHF.17.16 |
| 100 - 245 | CHF.3.04 | CHF.15.20 |
| 250 - 495 | CHF.2.727 | CHF.13.66 |
| 500 - 995 | CHF.2.414 | CHF.12.09 |
| 1000 + | CHF.1.909 | CHF.9.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 825-9092
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R190C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 13 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 72 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 54 ns | |
| Einschaltverzögerungszeit | 11 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1150 pF @ 400 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.45mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 13 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 72 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 23 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Ausschaltverzögerungszeit 54 ns | ||
Einschaltverzögerungszeit 11 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1150 pF @ 400 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Höhe 4.57mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.45mm | ||
Nicht zutreffend