N-Kanal MOSFET Transistor STB12NM50T4, 550 V 7,5 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 810-3481P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB12NM50T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 810-3481P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB12NM50T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 550 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 350 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 160 W | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 550 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 350 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 160 W | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh | ||
Höhe 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1000 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||