N-Kanal MOSFET Transistor STB45NF06T4, 60 V 38 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 809-1568P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45NF06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF.0.869 |
| 250 - 490 | CHF.0.788 |
| 500 - 990 | CHF.0.667 |
| 1000 + | CHF.0.586 |
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- RS Best.-Nr.:
- 809-1568P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB45NF06T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 38 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 28 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 80 W | |
| Serie | STripFET | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1730 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Breite | 9.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 38 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 28 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 80 W | ||
Serie STripFET | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1730 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 43 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Breite 9.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 4.6mm | ||