N-Kanal MOSFET Transistor STL90N3LLH6, 30 V 90 A, PowerFLAT 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 795-8741P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL90N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | CHF.1.717 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 795-8741P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL90N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 90 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 60 W | |
| Einschaltverzögerungszeit | 9,5 ns | |
| Abmessungen | 5 x 6 x 0.78mm | |
| Länge | 5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Höhe | 0.78mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1690 pF @ 25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 37 ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 90 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,5 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 60 W | ||
Einschaltverzögerungszeit 9,5 ns | ||
Abmessungen 5 x 6 x 0.78mm | ||
Länge 5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Höhe 0.78mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1690 pF @ 25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 37 ns | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY