N-Kanal MOSFET Transistor STP80N10F7, 100 V 80 A, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-6091P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.44.70
- 235 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.1.788 |
| 100 - 245 | CHF.1.454 |
| 250 - 495 | CHF.1.424 |
| 500 + | CHF.1.242 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-6091P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 15.75 x 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 36 ns | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 19 ns | |
| Breite | 15.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 3100 pF @ 50 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie STripFET H7 | ||
Höhe 4.6mm | ||
Abmessungen 10.4 x 15.75 x 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 36 ns | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 19 ns | ||
Breite 15.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 3100 pF @ 50 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||