N-Kanal MOSFET Transistor STL7N80K5, 800 V 3,6 A, PowerFLAT 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5915P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL7N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.37.125
- Zusätzlich 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 10. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.1.485 |
| 100 - 245 | CHF.1.212 |
| 250 - 495 | CHF.1.182 |
| 500 + | CHF.1.03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5915P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL7N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 42 W | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.4mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 11,3 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,4 nC bei 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 23,7 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 360 pF bei 100 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Länge | 6.35mm | |
| Abmessungen | 6.35 x 5.4 x 0.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,2Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 42 W | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.4mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 11,3 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,4 nC bei 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 23,7 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 360 pF bei 100 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.95mm | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Länge 6.35mm | ||
Abmessungen 6.35 x 5.4 x 0.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||