Teile-Nr.

N-Kanal MOSFET Transistor STL34N65M5, 650 V 22,5 A, PowerFLAT 5-pin

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Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	22 A
	Drain-Source-Spannung max.	650 V
	Drain-Source-Widerstand max.	120 mΩ
	Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
	Gehäusegröße	PowerFLAT
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	5
	Channel-Modus	Enhancement
	Kategorie	Leistungs-MOSFET
	Verlustleistung max.	150 W
	Einschaltverzögerungszeit	8,7 ns
	Eingangskapazität typ. @ Vds	2700 pF @ 100 V
	Abmessungen	8 x 8 x 0.88mm
	Länge	8mm
	Serie	MDmesh M5
	Höhe	0.88mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	8mm
	Ausschaltverzögerungszeit	7,5 ns
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	62,5 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C

	Alle auswählen
	Marke STMicroelectronics
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 22 A
	Drain-Source-Spannung max. 650 V
	Drain-Source-Widerstand max. 120 mΩ
	Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
	Gehäusegröße PowerFLAT
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 5
	Channel-Modus Enhancement
	Kategorie Leistungs-MOSFET
	Verlustleistung max. 150 W
	Einschaltverzögerungszeit 8,7 ns
	Eingangskapazität typ. @ Vds 2700 pF @ 100 V
	Abmessungen 8 x 8 x 0.88mm
	Länge 8mm
	Serie MDmesh M5
	Höhe 0.88mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 8mm
	Ausschaltverzögerungszeit 7,5 ns
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 62,5 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C

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