N-Kanal MOSFET Transistor STL15N65M5, 650 V 10 A, Power Flat 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5880
- Herst. Teile-Nr.:
- STL15N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.5.696
- Zusätzlich 2'980 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.2.848 | CHF.5.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5880
- Herst. Teile-Nr.:
- STL15N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 375 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | Power Flat | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 52 W | |
| Länge | 5.4mm | |
| Abmessungen | 5.4 x 6.35 x 1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 11 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.35mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 816 pF @ 100 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 375 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße Power Flat | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 52 W | ||
Länge 5.4mm | ||
Abmessungen 5.4 x 6.35 x 1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
Ausschaltverzögerungszeit 11 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.35mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22 nC @ 10 V | ||
Höhe 1mm | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 816 pF @ 100 V | ||