N-Kanal MOSFET Transistor STH400N4F6-6, 40 V 180 A, H2PAK-6 7-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5868
- Herst. Teile-Nr.:
- STH400N4F6-6
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 1 - 24 | CHF.6.91 |
| 25 - 99 | CHF.5.68 |
| 100 - 249 | CHF.5.10 |
| 250 - 499 | CHF.4.71 |
| 500 + | CHF.4.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5868
- Herst. Teile-Nr.:
- STH400N4F6-6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,15 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 377 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 20000 pF @ 25 V | |
| Breite | 15.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 15.25 x 4.8mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 180 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,15 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße H2PAK-6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 377 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 20000 pF @ 25 V | ||
Breite 15.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 15.25 x 4.8mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||