N-Kanal MOSFET Transistor STH160N4LF6-2, 40 V 120 A, H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 792-5849
- Herst. Teile-Nr.:
- STH160N4LF6-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.576 | CHF.7.87 |
| 25 - 95 | CHF.1.434 | CHF.7.18 |
| 100 - 245 | CHF.1.242 | CHF.6.23 |
| 250 - 495 | CHF.1.05 | CHF.5.27 |
| 500 + | CHF.0.949 | CHF.4.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5849
- Herst. Teile-Nr.:
- STH160N4LF6-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 20 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 15.8mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 205 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 8130 pF @ 20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 180 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,2 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 20 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 15.8mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 205 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 8130 pF @ 20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 180 nC | ||