MOSFET Transistor STH185N10F3-2
- RS Best.-Nr.:
- 792-5842P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH185N10F3-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.1.586 |
| 100 - 245 | CHF.1.293 |
| 250 - 495 | CHF.1.273 |
| 500 + | CHF.1.111 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5842P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH185N10F3-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 315 W | |
| Serie | STripFET F3 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 114,6 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 6665 pF @ 25 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 99,9 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 25,6 ns | |
| Länge | 15.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 180 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,5 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 315 W | ||
Serie STripFET F3 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 114,6 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 6665 pF @ 25 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 99,9 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 25,6 ns | ||
Länge 15.8mm | ||