N-Kanal MOSFET Transistor STH140N8F7-2, 80 V 90 A, H2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5830
- Herst. Teile-Nr.:
- STH140N8F7-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.6.646
- 2'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 24 | CHF.3.323 | CHF.6.65 |
| 26 - 98 | CHF.2.666 | CHF.5.33 |
| 100 - 248 | CHF.2.363 | CHF.4.73 |
| 250 - 498 | CHF.2.192 | CHF.4.38 |
| 500 + | CHF.1.959 | CHF.3.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5830
- Herst. Teile-Nr.:
- STH140N8F7-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 90 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 200 W | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 15.8 x 4.8mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 26 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 6340 pF @ 40 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 82 ns | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Breite | 15.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 90 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 80 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 200 W | ||
Serie STripFET H7 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 15.8 x 4.8mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 26 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 96 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 6340 pF @ 40 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 82 ns | ||
Höhe 4.8mm | ||
Breite 15.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||