N-Kanal MOSFET Transistor STD30N10F7, 100 V 32 A, DPAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5726P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD30N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.51.00
- 2'425 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.2.04 |
| 100 - 245 | CHF.1.778 |
| 250 - 495 | CHF.1.495 |
| 500 + | CHF.1.343 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5726P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD30N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 32 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 24 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 50 W | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 12 ns | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1270 pF @ 50 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 22 ns | |
| Breite | 6.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 32 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 24 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 50 W | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 12 ns | ||
Höhe 2.4mm | ||
Serie STripFET H7 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1270 pF @ 50 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 22 ns | ||
Breite 6.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||