N-Kanal MOSFET Transistor STD7ANM60N, 600 V 5 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5723P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD7ANM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.40.40
- Zusätzlich 2'390 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.1.616 |
| 100 - 245 | CHF.1.404 |
| 250 - 495 | CHF.1.182 |
| 500 + | CHF.1.071 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5723P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD7ANM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 900 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Serie | MDmesh | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 363 pF @ 50 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 26 ns | |
| Breite | 9.35mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 7 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 900 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Höhe 4.6mm | ||
Serie MDmesh | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 363 pF @ 50 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 26 ns | ||
Breite 9.35mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 7 ns | ||