STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STFW1N105K3 N-Kanal, THT MOSFET 1050 V / 1,4 A 20 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 791-9336
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW1N105K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.97
- Zusätzlich 275 Einheit(en) mit Versand ab 16. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.394 | CHF.11.97 |
| 50 - 95 | CHF.1.747 | CHF.8.74 |
| 100 - 145 | CHF.1.555 | CHF.7.79 |
| 150 - 295 | CHF.1.313 | CHF.6.56 |
| 300 + | CHF.1.151 | CHF.5.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-9336
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW1N105K3
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1050 V | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 5.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 15.7mm | |
| Höhe | 26.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1050 V | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 5.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 15.7mm | ||
Höhe 26.7mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
