STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STFW1N105K3 N-Kanal, THT MOSFET 1050 V / 1,4 A 20 W, 3-Pin TO-3PF

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Herst. Teile-Nr.:
STFW1N105K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,4 A

Drain-Source-Spannung max.

1050 V

Gehäusegröße

TO-3PF

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

20 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

5.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.7mm

Höhe

26.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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