Power MOSFET N channel 800V
- RS Best.-Nr.:
- 791-7952P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW13N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 791-7952P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW13N80K5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 450 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 190 W | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 110 pF @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 45 ns | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 16 ns | |
| Länge | 15.75mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 450 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 190 W | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 110 pF @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 45 ns | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 16 ns | ||
Länge 15.75mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||