N-Kanal MOSFET Transistor STL6N2VH5, 20 V 6 A, PowerFLAT 6-pin
- RS Best.-Nr.:
- 791-7699P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL6N2VH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.34.35
- Zusätzlich 2'990 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 240 | CHF.0.687 |
| 250 - 490 | CHF.0.677 |
| 500 - 990 | CHF.0.616 |
| 1000 + | CHF.0.475 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-7699P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL6N2VH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 2,4 W | |
| Breite | 2.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Serie | STripFET V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6 nC @ 4,5 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 550 pF @ 16 V | |
| Länge | 2.1mm | |
| Abmessungen | 2.1 x 2.1 x 0.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.7V | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 2,4 W | ||
Breite 2.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.75mm | ||
Serie STripFET V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6 nC @ 4,5 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 550 pF @ 16 V | ||
Länge 2.1mm | ||
Abmessungen 2.1 x 2.1 x 0.75mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
