N-Kanal MOSFET Transistor STL6N3LLH6, 30 V 6 A, PowerFLAT 6-pin
- RS Best.-Nr.:
- 791-7693
- Herst. Teile-Nr.:
- STL6N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.4.75
Auf Lager
- 2'430 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.475 | CHF.4.77 |
| 50 - 240 | CHF.0.465 | CHF.4.68 |
| 250 - 490 | CHF.0.455 | CHF.4.59 |
| 500 - 990 | CHF.0.444 | CHF.4.50 |
| 1000 + | CHF.0.444 | CHF.4.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-7693
- Herst. Teile-Nr.:
- STL6N3LLH6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 2,4 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,6 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 4,8 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.1mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 9,4 ns | |
| Länge | 2.1mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Abmessungen | 2.1 x 2.1 x 0.75mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 283 pF @ 24 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 2,4 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,6 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 4,8 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.1mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 9,4 ns | ||
Länge 2.1mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Abmessungen 2.1 x 2.1 x 0.75mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 283 pF @ 24 V | ||