N-Kanal MOSFET Transistor STL100N10F7, 100 V 80 A, Power Flat 8-pin
- RS Best.-Nr.:
- 786-3729
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.15.00
- Zusätzlich 2'895 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.00 | CHF.15.01 |
| 50 - 245 | CHF.2.414 | CHF.12.08 |
| 250 - 495 | CHF.1.98 | CHF.9.90 |
| 500 - 2995 | CHF.1.778 | CHF.8.88 |
| 3000 + | CHF.1.364 | CHF.6.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 786-3729
- Herst. Teile-Nr.:
- STL100N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,3 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | Power Flat | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 5 W | |
| Breite | 6.35mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 4369 pF @ 50 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 5.4mm | |
| Abmessungen | 5.4 x 6.35 x 0.95mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 27 ns | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 46 ns | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7,3 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße Power Flat | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 5 W | ||
Breite 6.35mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 4369 pF @ 50 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 61 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 5.4mm | ||
Abmessungen 5.4 x 6.35 x 0.95mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 27 ns | ||
Ausschaltverzögerungszeit 46 ns | ||
Serie STripFET H7 | ||