N-Kanal MOSFET Transistor STH110N10F7-6, 100 V 110 A, H2PAK 7-pin
- RS Best.-Nr.:
- 786-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- STH110N10F7-6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.2.05 | CHF.4.10 |
| 50 - 248 | CHF.2.00 | CHF.4.00 |
| 250 - 498 | CHF.1.616 | CHF.3.24 |
| 500 - 998 | CHF.1.414 | CHF.2.82 |
| 1000 + | CHF.1.353 | CHF.2.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 786-3693
- Herst. Teile-Nr.:
- STH110N10F7-6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6,5 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 52 ns | |
| Breite | 10.4mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 25 ns | |
| Abmessungen | 15.25 x 10.4 x 4.8mm | |
| Länge | 15.25mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 5117 pF @ 50 V | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 110 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 6,5 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Ausschaltverzögerungszeit 52 ns | ||
Breite 10.4mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 25 ns | ||
Abmessungen 15.25 x 10.4 x 4.8mm | ||
Länge 15.25mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 72 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 5117 pF @ 50 V | ||
Höhe 4.8mm | ||
Serie STripFET H7 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||