N-Kanal MOSFET Transistor STF9N60M2, 650 V 5,5 A, TO-220FP 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 786-3671P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF9N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.30.30
- Zusätzlich 935 Einheit(en) mit Versand ab 11. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | CHF.0.606 |
| 250 - 495 | CHF.0.586 |
| 500 - 995 | CHF.0.576 |
| 1000 + | CHF.0.566 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 786-3671P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF9N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 780 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 22 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 320 pF @ 10 V | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 8,8 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 5,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 780 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Ausschaltverzögerungszeit 22 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 320 pF @ 10 V | ||
Höhe 16.4mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 8,8 ns | ||