N-Kanal MOSFET Transistor STB24N60M2, 650 V 18 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-3103
- Herst. Teile-Nr.:
- STB24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.435
- Zusätzlich 790 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.687 | CHF.13.43 |
| 50 - 245 | CHF.2.202 | CHF.11.01 |
| 250 - 495 | CHF.1.919 | CHF.9.62 |
| 500 - 995 | CHF.1.909 | CHF.9.53 |
| 1000 + | CHF.1.889 | CHF.9.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3103
- Herst. Teile-Nr.:
- STB24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 60 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1060 pF @ 10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Einschaltverzögerungszeit | 14 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Ausschaltverzögerungszeit 60 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1060 pF @ 10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 29 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Einschaltverzögerungszeit 14 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Höhe 4.6mm | ||
- Ursprungsland:
- CN