N-Kanal MOSFET Transistor STF15N65M5, 710 V 11 A, TO-220FP 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-3071
- Herst. Teile-Nr.:
- STF15N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.93
- 310 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.586 | CHF.12.93 |
| 25 - 95 | CHF.2.101 | CHF.10.50 |
| 100 - 245 | CHF.1.667 | CHF.8.33 |
| 250 - 495 | CHF.1.626 | CHF.8.13 |
| 500 + | CHF.1.475 | CHF.7.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3071
- Herst. Teile-Nr.:
- STF15N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 710 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 340 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 25 W | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 816 pF @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 30 ns | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 11 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 710 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 340 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 25 W | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 22 nC @ 10 V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Höhe 16.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 816 pF @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 30 ns | ||
- Ursprungsland:
- CN