N-Kanal MOSFET STF11N65M5, 710 V 9 A, TO-220FP 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-3065P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 95 | CHF.1.606 |
| 100 - 245 | CHF.1.283 |
| 250 - 495 | CHF.1.192 |
| 500 + | CHF.1.081 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3065P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 710 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 480 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 25 W | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.6mm | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 23 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 644 pF @ 10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Typical Turn-On Delay Time | 23 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 710 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 480 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. ±25 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 25 W | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Höhe 16.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.6mm | ||
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 644 pF @ 10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Typical Turn-On Delay Time 23 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Länge 10.4mm | ||