N-Kanal MOSFET Transistor STB34N65M5, 710 V 28 A, D2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-3052
- Herst. Teile-Nr.:
- STB34N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 1 - 49 | CHF.8.42 |
| 50 - 249 | CHF.6.93 |
| 250 - 499 | CHF.5.68 |
| 500 - 999 | CHF.5.03 |
| 1000 + | CHF.4.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3052
- Herst. Teile-Nr.:
- STB34N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 28 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 710 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 110 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 190 W | |
| Länge | 10.4mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 59 ns | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 2700 pF @ 10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 62,5 nC @ 10 V | |
| Einschaltverzögerungszeit | 59 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Abmessungen | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.35mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 28 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 710 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 110 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 190 W | ||
Länge 10.4mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 59 ns | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 2700 pF @ 10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 62,5 nC @ 10 V | ||
Einschaltverzögerungszeit 59 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Abmessungen 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.35mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
- Ursprungsland:
- CN