N-Kanal MOSFET Transistor STW57N65M5-4, 710 V 42 A, TO-247-4L 4-pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-3012
- Herst. Teile-Nr.:
- STW57N65M5-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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CHF.13.12
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 29 | CHF.13.12 |
| 30 - 59 | CHF.11.03 |
| 60 - 149 | CHF.10.32 |
| 150 - 299 | CHF.10.14 |
| 300 + | CHF.9.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3012
- Herst. Teile-Nr.:
- STW57N65M5-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 42 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 710 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 63 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 4200 pF @ 100 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 79 ns | |
| Länge | 15.9mm | |
| Abmessungen | 15.9 x 5.1 x 21.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Einschaltverzögerungszeit | 79 ns | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 42 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 710 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 63 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 4200 pF @ 100 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 79 ns | ||
Länge 15.9mm | ||
Abmessungen 15.9 x 5.1 x 21.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Einschaltverzögerungszeit 79 ns | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 98 nC @ 10 V | ||
Breite 5.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 21.1mm | ||
- Ursprungsland:
- CN