N-Kanal MOSFET Transistor STI57N65M5, 710 V 42 A, I2PAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-3006P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI57N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.202.50
- Zusätzlich 995 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 49 | CHF.8.10 |
| 50 - 249 | CHF.7.57 |
| 250 - 499 | CHF.6.81 |
| 500 + | CHF.6.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-3006P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI57N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 42 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 710 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 63 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 73 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 4200 pF @ 10 V | |
| Einschaltverzögerungszeit | 73 ns | |
| Länge | 10.4mm | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Höhe | 9.35mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 9.35mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 42 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 710 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 63 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 98 nC @ 10 V | ||
Breite 4.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Ausschaltverzögerungszeit 73 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 4200 pF @ 10 V | ||
Einschaltverzögerungszeit 73 ns | ||
Länge 10.4mm | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Höhe 9.35mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 9.35mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||