N-Kanal MOSFET Transistor STL8N65M5, 650 V 7 A, PowerFLAT 14-pin
- RS Best.-Nr.:
- 783-2933
- Herst. Teile-Nr.:
- STL8N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.815
- Zusätzlich 2'700 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.363 | CHF.11.84 |
| 50 - 245 | CHF.2.06 | CHF.10.29 |
| 250 - 495 | CHF.1.717 | CHF.8.61 |
| 500 - 2995 | CHF.1.101 | CHF.5.49 |
| 3000 + | CHF.1.04 | CHF.5.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 783-2933
- Herst. Teile-Nr.:
- STL8N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 600 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Breite | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 690 pF @ 10 V | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Abmessungen | 5.1 x 5.1 x 0.95mm | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 600 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 14 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Breite 5.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 690 pF @ 10 V | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Abmessungen 5.1 x 5.1 x 0.95mm | ||
Serie MDmesh M5 | ||
- Ursprungsland:
- MY