N-Kanal MOSFET Transistor STF11NM60ND, 600 V 10 A, TO-220FP 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-2745
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.353
- Versand ab 10. September 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.35 |
| 10 - 49 | CHF.2.30 |
| 50 - 99 | CHF.2.21 |
| 100 - 249 | CHF.1.97 |
| 250 + | CHF.1.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-2745
- Herst. Teile-Nr.:
- STF11NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 450 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 25 W | |
| Länge | 10.4mm | |
| Serie | FDmesh | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 50 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 850 pF @ 50 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Einschaltverzögerungszeit | 16 ns | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 450 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 25 W | ||
Länge 10.4mm | ||
Serie FDmesh | ||
Höhe 16.4mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Ausschaltverzögerungszeit 50 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 850 pF @ 50 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 30 nC @ 10 V | ||
Breite 4.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Einschaltverzögerungszeit 16 ns | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||