N-Kanal MOSFET Transistor STD12N65M5, 650 V 8,5 A, TO-252 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-0685P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 761-0685P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 430 mΩ | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 70 W | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 900 pF @ 100 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 430 mΩ | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 70 W | ||
Höhe 2.4mm | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.6mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 900 pF @ 100 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.2mm | ||