N-Kanal MOSFET Transistor STB50N25M5, 250 V 28 A, TO-263 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-0682P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB50N25M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 761-0682P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB50N25M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 28 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Länge | 10.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 10.4mm | |
| Ausschaltverzögerungszeit | 35 ns | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1700 pF @ 50 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Einschaltverzögerungszeit | 16 ns | |
| Abmessungen | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 28 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 250 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 75 mΩ | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Länge 10.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 10.4mm | ||
Ausschaltverzögerungszeit 35 ns | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1700 pF @ 50 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 44 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Einschaltverzögerungszeit 16 ns | ||
Abmessungen 10.75 x 10.4 x 4.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Serie MDmesh M5 | ||