N-Kanal MOSFET Transistor STB21N65M5, 650 V 17 A, TO-263 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 761-0660P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB21N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.46.20
Auf Lager
- 269 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 99 | CHF.1.85 |
| 100 - 199 | CHF.1.79 |
| 200 - 499 | CHF.1.72 |
| 500 + | CHF.1.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0660P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB21N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 179 mΩ | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Kategorie | Leistungs-MOSFET | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Eingangskapazität typ. @ Vds | 1950 pF @ 10 V | |
| Breite | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.75mm | |
| Abmessungen | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Drain-Source-Widerstand max. 179 mΩ | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Kategorie Leistungs-MOSFET | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 50 nC @ 10 V | ||
Eingangskapazität typ. @ Vds 1950 pF @ 10 V | ||
Breite 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 4.6mm | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.75mm | ||
Abmessungen 10.75 x 10.4 x 4.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||