STMicroelectronics MDmesh M5 STB16N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 761-0657P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB16N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 249 | CHF.1.57 |
| 250 - 499 | CHF.1.25 |
| 500 - 999 | CHF.1.17 |
| 1000 + | CHF.1.14 |
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- RS Best.-Nr.:
- 761-0657P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB16N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 279 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 10.4mm | |
| Länge | 10.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 279 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 10.4mm | ||
Länge 10.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 4.6mm | ||